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可控硅怎么測量好壞？取一指針式三用電表擺在電阻擋Rx1紅棒擺在陰極黑棒擺在陽極然后用黑棒的電位去碰觸控制極。這時要導通放開控制極一樣要導通，黑棒放開斷路。若是這樣屬於好的，若是不觸發控制極就導通那就壞掉了。半導體的標準工作溫度是25度C他有一個溫升曲線溫度越高效率越低升到100度C的時候效率幾乎等於零。等冷卻了效率才會回升。



上面這個回答可能過于簡單，一般學過電子的人都知道，但是可控硅如何用萬用表來測量好壞呢？首先要介紹下可控硅的結構：



單向可控硅結構：由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a)〕：一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。



雙向可控硅結構：雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅，是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。

單相可控硅怎么用萬用表測量好壞？



1、可控硅的管腳判別



可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。晶閘管管腳的判別可用下述方法：



1.先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。



2.再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。



2、可控硅的檢測



用萬用表判斷可控硅的好壞可用下述方法：



1.萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。



2.將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該可控硅已擊穿損壞。



陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。



控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。



若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。



萬用表檢測雙向可控硅方法



方法一：測量極間電阻法



將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆  時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：



1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；



2、如果測得T1－G之間的正反向電阻很大(接近∞)時，說明控制極G與主電極T1之間內部接觸不良或開路損壞，也不能使用。



方法二：檢查觸發導通能力A



萬用表置于R×10檔：①如圖,1(a)所示，用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果表頭指針發生了較大偏轉并停留在一固定位置，說明雙向可控硅中的一部分(其中一個單向可控硅)是好的，如圖1(b)所示，改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果結果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分(其中的一個單向可控硅是好的。測試到止說明雙向可控硅整個都是好的，即在兩個方向(在不同極性的觸發電壓證）均能觸發導通。



圖1 判斷雙向可控硅的觸發導通能力



方法三：檢查觸發導通能力B



如圖2所示．取一只10uF左右的電解電容器，將萬用表置于R×10k檔(V電壓)，對電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發信號，然后再將萬用表置于R×10檔，照圖2(b)連接好后進行測試。測試時，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉情況，如果測試結果與“方法二’相同，就證明雙向可控硅是好的。



圖2 判斷雙向可控硅的觸發導通能力



應用此法判斷雙向可控硅的觸發導通能力更為可靠。由于電解電容器上充的電壓較高，使觸發信號增大，更利于判斷大功率雙向可控硅的觸發能力。



以上就是關于可控硅怎么測量好壞的解答，有人反應，直流驅動器的冷卻風扇如果不能正常散熱，將會縮短可控硅使用壽命。
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