蘇州新杰邦電子技術有限公司

現在的IGBT模塊已經形成不同拓撲、額定電流和電壓的半固態、半固態、超小型和半固態封裝的IGBT模塊系列產品。從4A到1400A，電壓等級從600V到1700V, IGBT模塊可適用于各種應用。不同的拓撲覆蓋每個應用領域。他們的特點是燒結和彈簧或壓合觸點等關鍵技術，以及快速和方便的組裝。

蕞新的IGBT模塊提供了更高的功率密度，并形成了新的基準，特別是在電機驅動和太陽能應用上。可用650V, 950V和1200V的新一代IGBT芯片代表了蕞新的IGBT芯片技術。

新的1200V級IGBT幾乎可以說是專門為滿足電機驅動應用的要求而設計的。該級別IGBT模塊具有明顯較低的前向電壓降Vce,sat，并提供更加優化的開關性能。由于小芯片在相同的額定電流下，更高的額定電流可以適應現有的電源模塊包。此外， IGBT因為改進了濕度適應性，進一步提高了惡劣環境條件下的可靠性。

在實際應用中，1200V級IGBT模塊還降低了功率損失，增加了蕞大輸出功率和功率密度。這大大降低了應用的系統成本。至于電機驅動， IGBT引入傳統的驅動拓撲:CIB(轉換器-逆變器-制動器)，六包和半橋配置。對于低、中功率驅動器，MiniSKiiP和SEMITOP E1/E2配置是首要選擇。對于更高的功率等級IGBT，則可考慮SEMiX 3和SEMiX 6配合。

接下來會有更多的電源模塊。

950V的IGBT則比較適合太陽能應用，這一類芯片在設計上充分考慮了較低的開關損失和低的正向壓降，能較完善地與復雜撲相結合。

蘇州新杰邦電子技術有限公司提供的IGBT模塊系列產品是比較齊全的，也比較成熟穩定，大家可參閱其產品介紹。

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