英飛凌 IGBT模塊可控硅 BSM150GB60DLC_蘇州新杰邦電子技術有限公司

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蘇州新杰邦電子技術有限公司

賣家積分： 6001分-7000分

營業執照：已審核

經營模式：貿易/代理/分銷

所在地區：江蘇蘇州

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會員年限：4年

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地址：昆山開發區朝陽東路109號億豐機電城北D202

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產品分類

英飛凌 IGBT模塊可控硅 BSM150GB60DLC

型號/規格：

BSM150GB60DLC

品牌/商標：

INFINEON（英飛凌）

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

600V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）：

180A

功率 - 最大值：

595W

不同 Vge，Ic 時的 Vce（on）：

2.45V @ 15V，150A

電流 - 集電極截止（最大值）：

500μA

不同 Vce 時的輸入電容（Cies）：

6.5nF @ 25V

輸入：

標準

NTC 熱敏電阻：

無

工作溫度：

-40°C ~ 125°C

PDF資料：

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詢價

產品信息

蘇州新杰邦電子主要代理及經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron，IXYS艾賽斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、POWERSEM、Vishay、美國IR、NELL尼爾；英國西瑪，西班牙CATELEC，ABB等公司生產的igbt模塊、可控硅、整流橋、二極管、；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；

IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；

IGBT是能源變換與傳輸器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣

BSM150GB60DLC

蘇州新杰邦電子技術有限公司

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優勢庫存(1131)

普通庫存(23582)

二極管(565)

場效應管MOSFET(208)

可控硅IGBT(1712)

保險絲(702)

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