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蘇州新杰邦電子主要代理及經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron，IXYS艾賽斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、POWERSEM、Vishay、美國IR、NELL尼爾；英國西瑪，西班牙CATELEC，ABB等公司生產的igbt模塊、可控硅、整流橋、二極管、；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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