蘇州新杰邦電子技術有限公司

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現在的MOS驅動，有幾個特別的需求：
1. 低壓應用
當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于三極管的be只有0.7V左右的壓降，導致實際加載gate上的電壓只有4.3V，這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。同樣的問題也發生在使用3V或者其他低壓電源的場合。
2. 寬電壓應用
輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給MOS管的驅動電壓是不穩定的。
為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。
同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。
3. 雙電壓應用
在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或3.3V數字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 IXTN110N20L2