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MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態特性、優良的開通和關斷特性，可望具有優良的自關斷動態特性、非常低的通態電壓降和耐高壓，成為將來在電力裝置和電力系統中有發展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開展對MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結構：MOS場控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開關晶閘管(EST)。
MCT(MOS-Controlled Thyristor)是一種新型MOS與雙極復合型器件，如圖2所示。它采用集成電路工藝，在普通晶閘管結構中制作大量MOS器件，通過MOS器件的通斷來控制晶閘管的導通與關斷。MCT既具有晶閘管良好的關斷和導通特性，又具備MOS場效應管輸入阻抗高、驅動功率低和開關速度快的優點，克服了晶閘管速度慢、不能自關斷和高壓MOS場效應管導通壓降大的不足。所以MCT被認為是很有發展前途的新型功率器件。MCT器件的較大可關斷電流已達到300A，較高阻斷電壓為3KV，可關斷電流密度為325A/cm2，且已試制出由12個MCT并聯組成的模塊。
MCT由MOSFET與晶閘管復合而成的新型器件。每個MCT器件由成千上萬的MCT元組成，而每個元又是由一個PNPN晶閘管、一個控制MCT導通的MOSFET和一個控制MCT關斷的MOSFET組成。MCT是一個真正的PNPN器件，這正是其通態電阻遠低于其它場效應器件的主要原因。MCT既具備功率MOSFET輸入阻抗高、驅動功率小、開關速度快的特性，又兼有晶閘管高電壓、大電流、低壓降的優點。其芯片連續電流密度在各種器件中高，通態壓降不過是IGBT或GTR的1/3，而開關速度則超過GTR。
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