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蘇州新杰邦電子技有限公司:
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單向可控硅工作原理_單向可控硅性能檢測
一、單向可控硅工作原理 可控硅導通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導通狀態。另外,可控硅一旦導通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導通。
可控硅關斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓,使陽極電流小于維持電流以下。
二、單向可控硅的引腳區分 對可控硅的引腳區分,有的可從外形封裝加以判別,如外殼就為陽極,陰極引線比控制極引線長。從外形無法判斷的可控硅,可用萬用表R×100或R×1K擋,測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻,當萬用表指示低阻值(幾百歐至幾千歐的范圍)時,黑表筆所接的是控制極G,紅表筆所接的是陰極C,余下的一只管腳為陽極A。
三、單向可控硅的性能檢測 可控硅質量好壞的判別可以從四個方面進行。
一是三個PN結應完好;
二是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷,不導通;
三是當控制極開路時,陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通;第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時,可控硅應當導通,把控制極電流去掉,仍處于導通狀態。
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