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MOS晶體管
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC
MOSFET的結構
MOSFET是Metal-Oxide-SILicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結構，按照導電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感應的原理，是利用垂直的柵壓VGS實現對水平IDS的控制。它是多子（多數載流子）器件。用跨導描述其放大能力。MOSFET晶體管的截面圖如圖1所示在圖中，S＝Source，G=Gate,D=Drain。
NMOS和PMOS在結構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說，NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區，作為NMOS的源漏區；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區，作為PMOS的源漏區。如圖所示，兩塊源漏摻雜區之間的距離稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據源漏電流的流向才能確認具體的源和漏。
器件的柵電極是具有一定電阻率的多晶硅材料，這也是硅柵MOS器件的命名根據。在多晶硅柵與襯底之間是一層很薄的優質二氧化硅，它是絕緣介質，用于絕緣兩個導電層：多晶硅柵和硅襯底，從結構上看，多晶硅柵-二氧化硅介質-摻雜硅襯底(Poly-Si--SiO2--Si)形成了一個典型的平板電容器，通過對柵電極施加一定極性的電荷，就必然地在硅襯底上感應等量的異種電荷。這樣的平板電容器的電荷作用方式正是MOS器件工作的基礎。
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